消息稱三星電子準備采用常規(guī)結(jié)構(gòu)的1e nm DRAM內(nèi)存
2024-12-30 16:46
12月30日消息,三星電子準備啟動采用常規(guī)結(jié)構(gòu)的1e nm制程DRAM,實現(xiàn)先進內(nèi)存開發(fā)多軌化,為未來可能的商業(yè)化提供更豐富技術(shù)儲備。據(jù)悉,1e nm DRAM有望于2028年推出。
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